miroz 发表于 2014-8-16 21:57:44

SSD写入延迟寿命扩展设计资料

通过对SSD硬盘加入DDR RAM(2GB，4GB，8GB…)的写入缓存，来实现对SSD写入的延迟，使其在对某区块的数据的反复写入时内只需对DDR RAM进行写入，以实现写入次数的减少。由于在关机、断电或系统崩溃时，DDRRAM中存在数据，所以在此设计的SSD中需要电源实现（即集成可充电电池），以确保在关机、断电，或系统崩溃时，由主控将DDR RAM中的数据写入到NAND上。
要点：DDR RAM分块映射DDR RAM中的内容为对SSD NAND中的区块的映射，当对SSD某区块或某些区块有写入请求时，将这些区块映射到DDR RAM中，写入的操作应该通过主控直接操作映射过来的DDR RAM中的区块，而不是写入到NAND中。如果发生对这些区块的读操作时，主控应从DDR RAM中的区块读取数据；如果请求读的区块没有被映射到DDR RAM中时，才应从NAND中读取。要点：两块交替映射(写入)DDR RAM写入缓存的操作方式应该为两块交替的（比如：2GB的写入缓存应该是相当于两个1GB的写入缓存，第1GB区为A区，第2GB区为B区，A区映射满区块后，如果有新的非A区块中的写入请求时，应将这些区块映射到第B区 DDR RAM，同时将原第A区中较早映射的与此次写入请求相同数量的区块写入到NAND）。
在此方式上，为了提升效率可将2GB分成两个独立的1GB分别独立控制，即实现A区映射时，B区写入相同数量的较早区块；或B区映射新的写入请求时，A区回写相同数量的较早区块。
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kliujie123 发表于 2015-11-3 23:14:00

GB，4GB，8GB…)的写入缓存，来实现对SSD写入的延迟，使其在对某区块的数据的反复写入时内只需对DDR RAM进行写入，以实现写入次数的减少。由于在关机、断电或系统崩溃时，DDRRAM中存在数据，所以在此设计的SSD中需要电源实现（即集成可充电电池），以确保在关机、断电，或系统崩溃时，由主控将DDR RAM中的数据写入到NAND上。

sunlight 发表于 2018-8-19 16:35:58

感谢楼主分享！

dreamsky 发表于 2018-8-24 16:22:15

不错不错，谢谢

Kinder 发表于 2018-8-29 17:26:21

wjl7813 发表于 2020-11-5 21:32:20

楼主威武，谢谢分享

jahoo 发表于 2020-11-5 22:08:29

感谢楼主分享！

cs_william_xie 发表于 2020-11-5 23:03:00

楼主威武，谢谢分享

netrabbit 发表于 2020-11-5 23:24:43

这个不错，感谢分享啦

wgk002 发表于 2020-11-5 23:55:19

这个不错，感谢分享啦
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